بررسی تاثیر دمای بازپخت در نانوساختار و خواص مکانیکی لایه های نازک نیترید مولیبدن
پایان نامه
- دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم
- نویسنده محمد رضا کرمی مهر
- استاد راهنما کیخسرو خجیر ناصر زارع دهنوی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1391
چکیده
لایه های نازک نیترید مولیبدن، به دلیل خواص فیزیکی فوق العاده شان از قبیل: رسانایی الکتریکی خوب و پایداری شیمیایی، استحکام عالی، توانایی کاتالیزوری و ابر رسانایی به صورت گسترده ای در صنعت استفاده می شوند و کاندیدای آتی برای استفاده به عنوان سد پخش، و الکترودها در میکرو الکترونیک هستند. بازپخت، یک تکنیک بسیار مهم برای بهبود ساختار میکروسکوپی لایه های نازک است. زیرا نانو ساختارها با دما، به خوبی فشار، تغییر می کنند. در این فعالیت ابتدا لایه های نازک مولیبدن به روش کندوپاش dc برروی زیرلایه های سیلیکون، با ضخامت زیر nm 100، انباشته شد و سپس در معرض شار نیتروژن، در پنج دمای مختلف: ? 900 و 775 و650 و 525 و 400 فرآیند بازپخت انجام گرفت. ساختار کریستالی این لایه ها به وسیله پراش پرتو-x، مورفولوژی سطح این لایه ها با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی(afm) بررسی شد. همچنین در ادامه به آنالیز های سختی سنجی و تست سایش برای بررسی خواص مکانیکی لایه ها نیز پرداختیم. نتایج دریافتی از پراش پرتو-x، نشان داد که نمونه های بازپخت شده در دماهای?650 و 525، بس بلوری از ??-mo?_(2 ) n نیترید مولیبدن هستند، در حالی که نمونه های بازپخت شده در دماهای?900و 775، بس بلوری از ?mo?_(2 ) n هستند. نتایج دریافتی afm نشان داد که افزایش دمای بازپخت، سبب افزایش اندازه دانه ها و زمختی سطح می شود. بررسی خواص مکانیکی نمونه نیز نشان داد که با افزایش دمای بازپخت تا دمای ?650، سختی نمونه ها افزایش و سپس کاهش پیدا می کند، در حالی که با افزایش دمای بازپخت تا دمای ?650، ضریب اصطکاک نمونه ها کاهش و سپس افزایش پیدا می کند.
منابع مشابه
تاثیر دمای زیرلایه بر روی خواص نانوساختاری لایه نیترید زیرکونیوم
در این تحقیق تاثیر دمای زیر لایه در محدودهC˚450-100 برخواص ساختاری لایههای نیترید زیرکونیوم که بهروش کندوپاش شعاع یونی روی زیر لایه شیشه وسیلیکون تهیه شده است، مورد بررسی قرار گرفته است. تعین ضخامت لایهها با استفاده از آنالیز RBS (طیف پس پراکندگی رادرفورد) وتعیین فازهای کریستالی با توجه به آنالیز XRD (پراش پرتو X) انجام شدهاست. نتایج XRD نشان داد که با افزایش دما تا C˚400 بر میزان...
متن کاملتأثیر دمای بازپخت بر خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک آهن-پلاتین
هدف اصلی این تحقیق، بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک FePt نسبت به دمای بازپخت است. لایههای نازک FePt به روش کندوپاش روی زیرلایه شیشه ای با نرخ 6 و با توان W 110 رسوب داده شدند. خلأ اولیه محفظه کندوپاش برابر Torr 7-10 5 و فشار گاز آرگون mTorr 3 در نظر گرفته شد. پس از تهیه نمونهها، در محدوده 650-450 به مدت 30 دقیقه بازپخت شدند. شناسایی فازی لایه نازک ب...
متن کاملبررسی تاثیر دمای بازپخت در نانو ساختار لایه های نازک اکسید مولیبدن
لایه های نازک مولیبدن با ضخامتnm 50، با استفاده از سیستم کندوپاش مغناطیسی بر روی زیرلایه (400) si انباشت شدند و در دماهای مختلف (?700، 575، 450، 325، 200) در حضور شار ثابت اکسیژن (cc/min200) بازپخت شدند. ساختار بلوری نمونه ها با پراش اشعه- x تحلیل شد و از یک میکروسکوپ نیروی اتمی(afm) برای بررسی ریخت شناسی سطح نمونه ها استفاده شد. مقاومت ویژه لایه های نازک اکسید مولیبدن نیز با استفاده از ابزار چ...
15 صفحه اولتاثیر دمای زیرلایه بر روی خواص نانوساختاری لایه نیترید زیرکونیوم
در این تحقیق تاثیر دمای زیر لایه در محدودهc˚450-100 برخواص ساختاری لایه های نیترید زیرکونیوم که به روش کندوپاش شعاع یونی روی زیر لایه شیشه وسیلیکون تهیه شده است، مورد بررسی قرار گرفته است. تعین ضخامت لایه ها با استفاده از آنالیز rbs (طیف پس پراکندگی رادرفورد) و تعیین فازهای کریستالی با توجه به آنالیز xrd (پراش پرتو x) انجام شده است. نتایج xrd نشان داد که با افزایش دما تا c˚400 بر میزان بلوری...
متن کاملتأثیر دمای بازپخت بر خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک آهن-پلاتین
هدف اصلی این تحقیق، بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک fept نسبت به دمای بازپخت است. لایه های نازک fept به روش کندوپاش روی زیرلایه شیشه ای با نرخ 6 و با توان w 110 رسوب داده شدند. خلأ اولیه محفظه کندوپاش برابر torr 7-10 5 و فشار گاز آرگون mtorr 3 در نظر گرفته شد. پس از تهیه نمونه ها، در محدوده 650-450 به مدت 30 دقیقه بازپخت شدند. شناسایی فازی لایه نازک با استفاده ا...
متن کاملبررسی خواص فیزیکی لایههای نازک رسانا و شفاف اکسید ایندیم آلاییده به قلع برحسب ضخامت و دمای بازپخت در خلأ
Thin films Indium tin oxide (ITO) with various thicknesses, from 130-620nm, have been deposited on the thin glass substrates by RF sputtering using ITO ceramic (90% wt. In2O3 and 10% wt. SnO2) target, and subsequently annealed in vacuum at various temperatures. Electrical and optical characteristics of ITO samples, before and after annealing at different temperatures, were investigated by four ...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023